平面抛光机实现全球最先科技化

平面抛光机将工件固定在主轴上，通过升降机构将主轴及工件没入盛有磨料的料桶中。

副电机 （1.1kw）带动工件自转，主电机带动料桶内磨料、抛光液和水上下往复运动，使磨料对工件表面进行碰 撞、挤压、划刻等作用，磨料始终处于游离状态，从而实现光整工件的效果。

工件的运动轨迹是交错而 封闭的曲线，建立运动轨迹方程、轨迹重合周期计算公式、运动轨迹的几何画法。

通过验证五因数的各 种数据组合方案的运动轨迹，总结出运动特性，得出设计抛光机的三种最佳数据组合方案。

平面抛光机是目前唯一能实现单晶硅片全局平面化的技术,采用该方法可使整个硅片获得超光滑和无损 伤的表面。

其中,抛光液的质量是影响CMP效果的一个关键因素。

目前,硅片CMP普遍使用粒径为50~70 nm 的球形SiO2为磨粒。

作为一种高效抛光粉,纳米CeO2已广泛应用于超大规模集成电路SiO2介质层和隔离沟 槽的化学机械抛光,具有高抛光效率和高表面质量等优点。

本文来自河南中原精抛光机制造厂：http://www.hnpaoguangji.com/news/2012-9-5237.html,转载请注明出处！